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公募情報 詳細

産業技術総合研究所 エレクトロニクス基盤技術研究部門 パーマネント型研究員公募

2025年10月9日（木）締切

国立研究開発法人産業技術総合研究所 エレクトロニクス基盤技術研究部門では、以下の通り研究員の公募を行っております。
「次世代エレクトロニクスの基盤技術に関する研究開発」に関する公募（公募番号DEV-4）で、このテーマの中にはグラフェンや六方晶窒化ホウ素(h-BN)等と言った原子層薄膜を用いて、半導体検査装置や電子顕微鏡などの高性能化を実現する次世代電子放出デバイスの開発も含まれています。
原子層物質を実用化デバイスに応用するもので、多数の民間企業からも注目されているテーマです。
なお、これらの研究実績は必須ではなく、応用物理学、材料科学、化学、電気電子工学等に関する基礎知識や専門性および研究実績を有する意欲的な研究者を広く募集しています。

職　　種：パーマネント型研究員
公募期間：2025年10月9日〆切
着任時期：2026年4月1日
公募情報：下記URLより確認下さい
待遇等に関する情報
https://www.aist.go.jp/aist_j/humanres/02kenkyu/tenured.html
公募課題
https://www.aist.go.jp/aist_j/humanres/02kenkyu/task/5_delma.html#DEV-4
公募番号：DEV-4
課題名　：次世代エレクトロニクスの基盤技術に関する研究開発
配属先　：エレクトロニクス基盤技術研究部門（つくばセンター勤務）

グラフェンのテーマに関する詳細は以下のページが参考になります。
https://unit.aist.go.jp/d-tech/ja/teams/06_cdg/ja/research/index.html