会誌「表面科学」

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 第9巻 第3号  1988年4月


■ 巻頭言

表面の微視的性質 (image PDF 70K)
河津 璋
Vol. 9, No. 3 (1988) p. 181


■ 解説

PLZTの微粒子化とその誘電特性

定岡芳彦
Vol. 9, No. 3 (1988) p. 182



半導体上金属層の表面エレクトロマイグレーション

安永 均
Vol. 9, No. 3 (1988) p. 190



半導体表面・界面の局在準位の評価技術

奥村次徳
Vol. 9, No. 3 (1988) p. 200


■ 論文

Si(OC2H5)4-ZrOCl2・8H2Oを用いたゾル-ゲル法によるZrSiO4生成反応の機構

管野善則,鈴木 正
Vol. 9, No. 3 (1988) p. 207


■ ポピュラーサイエンス

宇宙ステーションにおける触媒利用

尾上 薫
Vol. 9, No. 3 (1988) p. 213



レーザによる金属表面の美粧化

前田重義,山本正弘
Vol. 9, No. 3 (1988) p. 218


■ 談話室

半導体界面スペシャリスト(SISC)会議 (image PDF 149K)
岩崎 裕
Vol. 9, No. 3 (1988) p. 220



アブストラクトは論文の顔 (image PDF 205K)
村川享男
Vol. 9, No. 3 (1988) p. 222


■ 用語解説

用語解説 (20)
基礎理論 (4)
—分子軌道の理論— (image PDF 191K)

加藤重樹
Vol. 9, No. 3 (1988) p. 225


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