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酸化膜/SiC 界面に導入した窒素およびリンの
光電子分光スペクトル
| 表面科学 第35巻 第2号 (2014) p. 90 |
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■ 巻頭言
■ 特集：ワイドギャップ半導体・パワー素子の表面科学
■ 連載企画
■ 談話室
■ 表面科学技術者資格認定試験例題
■ 先端追跡
■ FOCUS on e-JSSNT
■ 編集後記
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次世代パワーデバイス材料として期待されるワイドバンドギャップ半導体の研究について表面科学の観点から紹介する本特集号の編集に携わらせていただき大変光栄でした。次世代パワーデバイス材料は表面・界面の制御が難しく，表面科学による研究が大切であることを改めて深く感じました。省エネルギー社会の実現に向けてますます発展することを願い，また本特集が皆様の今後の研究の一助になれば幸いです。最後に，ご多忙にもかかわらずご執筆また編集にご協力頂きました先生方に厚く御礼申し上げます。
（原紳介）
ワイドギャップ半導体は，現在主流のSiよりバンドギャップの広いシリコンカーバイド（SiC），窒化ガリウム（GaN），ダイヤモンド等の半導体の総称です。その高効率なパワー素子の実用化に向けての研究成果は新聞等で，しばしば取り上げられております。そのような急速な実用化研究の影で，半導体物理に起因する様々な表面・界面の諸問題がデバイス特性に影響しており，本特集号では，その部分に光を当てました。
今回，快く巻頭言を執筆いただいた松波弘之先生をはじめ，諸先生方には，深くお礼を申し上げます。
（嘉数誠）
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