■ 巻頭言
■ 特集：ゲートスタック技術の表面・界面科学
(総合報告)
ゲートスタック技術
岩井洋，角嶋邦之，川那子高暢
Vol. 33, No. 11 (2012) p. 600
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■ 談話室
■ 先端追跡
■ FOCUS on e-JSSNT
■ 編集後記
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パラダイムシフトによりゲートスタックが，poly-Si/SiO2(SiON)/Si-sub.からmetal/high-k/Si-sub.構造になり，それらを使いこなす技術，選択肢が多様化しています。このような現状を俯瞰していただくために本特集号を企画しました。本特集号のために大変忙しい中，執筆を快諾いただきました諸先生方に深く感謝いたします。また，これらの素晴らしい成果を直接製品化できない国内の産業界の現状が残念です。
（中村誠）
本号では，「ゲートスタック技術の表面・界面科学」と題して，Siのみならず，今後期待されるナノワイヤ，Ge，SiC，ダイヤモンドなどな種々の材料を用いたデバイス開発においても，最も重要な分野の一つであるゲートスタック技術に焦点を当てて，この分野の最新の研究動向を紹介しました。読者の皆様に有益で，この分野の今後の研究と実用化の進展に寄与できれば幸いです。
（野平博司）
最先端の半導体デバイス・ゲートスタック技術について表面科学の観点から紹介する本特集号の編集に携わらせていただき大変光栄でした。本特集は，表面科学が今後の技術発展に貢献できる役割を考える上でも意義あるものではなかったかと思いますし，紹介された技術や表面科学の新しい展開に少しでもお役に立つことができたら幸いです。最後に，ご多忙にもかかわらずご執筆また編集にご協力頂きました先生方に厚く御礼申し上げます。
（原紳介）
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