[前号 (Vol. 17, No. 10)] [次号 (Vol. 17, No. 12)] [会誌 総目次]
表面＋界面≒薄膜 (image PDF 71K) 塩嵜 忠 Vol. 17, No. 11 (1996) p. 647
(解説) 酸化物強誘電体薄膜とデバイス応用 奥山雅則 Vol. 17, No. 11 (1996) p. 648
(解説) ペロブスカイト強誘電体のドメイン構造とヒステリシス 南部信次 Vol. 17, No. 11 (1996) p. 654
(解説) スパッタリング法により作製した(BaxSr1−x)TiO3薄膜の誘電特性 堀川 剛 Vol. 17, No. 11 (1996) p. 660
(解説) 不揮発性メモリー用PZT薄膜 中村 孝 Vol. 17, No. 11 (1996) p. 666
(解説) サファイア基板上での強誘電体エピタキシャル薄膜—表面弾性波素子への応用— 藤村紀文，伊藤太一郎 Vol. 17, No. 11 (1996) p. 671
(解説) 金属アルコキシド溶液を用いた強誘電体薄膜の固相エピタキシャル成長と光導波路素子への応用 梨本恵一 Vol. 17, No. 11 (1996) p. 676
分子線赤外発光法による触媒反応ダイナミクスの研究 —Pd表面上のメタノール，ギ酸の分解・酸化反応およびブタンの部分酸化反応— 渡辺宏治，大沼 永，長尾和哉，上塚 洋，国森公夫 Vol. 17, No. 11 (1996) p. 683
Au/Si(111)5×2表面構造の短距離秩序 垣谷公徳，矢城陽一朗，吉森昭夫 Vol. 17, No. 11 (1996) p. 688
穴の光学的性質と応用 斉藤光徳 Vol. 17, No. 11 (1996) p. 694
大気および超高真空AFMで高分解能像を得るためには？ —試作と像解釈のノウハウ (3)— 森田清三，菅原康弘，太田昌弘 Vol. 17, No. 11 (1996) p. 698
スタンフォード大学化学科 Zare研究室 (image PDF 73K) 中村一隆 Vol. 17, No. 11 (1996) p. 701
IVESC'96 (International Vacuum Electron Sources Conference '96)—第1回真空電子源国際会議— (image PDF 92K) 安達 洋 Vol. 17, No. 11 (1996) p. 702
[R-127] 電荷移動と軽い遷移金属元素の内殻XPSスペクトル 福島 整 Vol. 17, No. 11 (1996) p. 703
[R-128] 走査電気化学顕微鏡を用いた局部腐食前駆過程の追跡 伏見公志 Vol. 17, No. 11 (1996) p. 703
[R-129] シリコン結晶中に捕捉された水素分子のラマン分光測定 中村一隆 Vol. 17, No. 11 (1996) p. 704
[R-130] 金クラスタ/自己組織化ジオール薄膜における室温クーロンブロッケードの観察 小林直樹 Vol. 17, No. 11 (1996) p. 704
