参加登録(全員) Registration

講演大会に参加される方は、全員、参加登録をお願いいたします。
事前参加登録(11月9日(月)17:00まで)をお忘れの場合は,当日の参加登録も可能です。

講演申込み Application for Presentation

一般講演に申込予定の方は,講演申込み予稿提出の順で手続きをお願いします。

講演申込み要領

参加登録を済ませると,講演申込システムから講演申込みができるようになります。以下の情報をあらかじめ用意しておいてください。

  • 発表者と共著者全員の所属機関の正式名(Affiliation)(日本語,英語とも)
  • 発表者の会員番号(Membership number)(共著者の会員番号,メールアドレスは必要ありません)
  • 講演分野(Presentation field)※1
  • 発表形式(Presentation style): 口頭/ポスター/どちらでもよい
  • 発表言語(Presentation language)日本語/英語
  • 日本語講演題目(Title in Japanese)※2
  • 英語講演題目(Title in English)
  • 日本語抄録(Abstract in Japanese): 200文字以内 ※2
  • 英語抄録(Abstract in English): 1000 characters以内
  • 講演奨励賞申込者は200字のアピールポイント

※1 12分野のうちから第一希望,第二希望を選択して下さい。招待・依頼講演者はこの選択は必要ありません。
※2 英語講演を予定している方は,日本語の講演題目と抄録は必要ありません。

講演申込み期間

口頭発表: 2020年8月3日(月)13:00 ~ 8月31日(月)17:00 (ウェブ受け付け)

ポスター発表: 2020年8月3日(月)13:00 ~ 8月31日(月)17:00 (ウェブ受け付け)

※ 講演申込者は,講演申し込みと同時に予稿の登録をお願いいたします。

一般講演申込み分野

分野 キーワード
表面科学・物性 (SS1) 電子状態,電子物性,光物性,光電変換,磁性,物性理論,量子効果,コヒーレンス,電子相関,ナノトライボロジー,超伝導,密度波,トポロジカル絶縁体,計算科学
表面科学・反応 (SS2) 表面化学反応,吸着/脱離,拡散,相転移,電極表面,反応性,反応場,反応機構,反応ダイナミクス,触媒,光触媒,メソ細孔材料,ナノ反応場,マイクロ反応システム,電気化学,計算科学
表面科学・構造 (SS3) 表面再構成,表面超構造,原子・分子マニピュレーション,MEMS,リソグラフィー,表面改質,FIB,ビーム技術,プラズマプロセス,計算科学
表面分析・応用表面科学・評価技術 (ASS) 電子分光,イオン分光,X線分光,放射光,界面分光,ホログラフィー,時間分解計測,プローブ顕微鏡,顕微分光,アトムプローブ,電子顕微鏡,単一分子分光,表面回折,オペランド分光,LEEM,PEEM,陽電子計測,TERS,非線形分光,振動分光,マイクロビームアナリシス,標準化,表面処理,実験技術,電子源,計算科学
表面工学 (SE) 表面改質,コーティング,超撥水,超親水,溶射,腐食防食,焼結,浸炭,接合,トライボロジー
真空科学技術 (VST) 真空ポンプ,真空計測,真空材料,流れ解析,ガス放出,極高真空,加速器,真空応用技術,真空プロセス一般
薄膜 (TF) 薄膜物性,薄膜構造,解析技術,作製技術,磁性薄膜,薄膜応用
低次元・ナノ構造・ナノ物質 (LD・NS・NM) ナノ構造,ナノ物性,ナノ計測,ナノチューブ,2次元材料(グラフェン,遷移金属ダイカルコゲナイド,シリセンなど),クラスター,ゼオライト
半導体・磁気・電子・光デバイス材料・電子材料プロセス (EMP・MI・MS) 半導体,有機半導体,有機電子デバイス,スピントロ二クス,誘電体薄膜,酸化膜,薄膜,レーザー,量子ドット,量子細線,量子井戸,超格子,界面,ハイブリッド材料,真空デバイス,太陽電池,CVDプロセス,エッチングプロセス,計算科学
プラズマ科学技術 (PSI) プラズマ計測,プラズマ源,プラズマプロセス,スパッタ,イオン技術,核融合,プラズマ応用
ソフトマター・バイオマテリアル (SO・BI) 有機材料,高分子材料,生体高分子材料,バイオテクノロジー,バイオデバイス,バイオセンサ,DNAデバイス,タンパク質チップ,一分子生体情報,分子認識,生体分子関連,人工臓器,コロイド,トライボロジー,計算科学
環境・エネルギー材料 (SU・EN) 二次電池,太陽電池,環境触媒,光触媒,燃料電池,環境浄化触媒,バイオマス,エネルギー,環境負荷低減技術,宇宙関連技術,計算科学
その他

予稿提出 Abstract Submission

予稿提出方法

予稿は指定のテンプレートを利用して作成し,PDF形式で保存したものを予稿提出システムにログイン後アップロードして下さい。

予稿テンプレート

日本語予稿テンプレート(docファイル)
English Abstract Template(a doc file)

提出期間

2020年8月3日(月)13:00 ~ 8月31日(月)17:00 (ウェブ受け付け)

講演奨励賞申込み Application for Prizes

講演奨励賞の部門と申込み資格

本学術講演会において,表面と真空に関する科学と技術の発展に貢献しうる優秀な一般講演(口頭およびポスター)を発表した若手会員に対して講演奨励賞を授与します。本賞には,受賞対象者の資格に応じて,「講演奨励賞(若手研究者部門)」,「講演奨励賞(新進研究者部門)」,「講演奨励賞(スチューデント部門)」があります。いずれの部門でも,
1) 講演論文の筆頭者であること
2) 登録された登壇者であり,かつ実際に登壇したものであること
を満たす必要があります。

【若手研究者部門】

  • 個人正会員であること。
  • 発表年のの4月1日時点で満33歳以上,満39歳以下であること。

【新進研究者部門】

  • 個人正会員であること。
  • 発表年の4月1日時点で満32才以下であること。

【スチューデント部門】
以下のいずれかに当てはまる者が対象です。

  • 発表年月日において学生として在籍する学生会員。
  • 発表年の途中まで学生として在籍した個人正会員。
  • 学術講演会委員会において資格ありと認められた者。

講演奨励賞の審査方法と受賞者の発表

  • 審査は,学術講演会委員会と論文賞等選定委員会が定めた審査委員により,研究・開発のレベル・面白さ,発表や図のわかりやすさなどについて厳正に行います。当日の発表だけではなく,予稿の内容やアピールポイントも審査の対象です。
  • 講演奨励賞受賞者には,次年度総会において表彰状とメダルを授与するとともに,発表題名と発表者を日本表面真空学会ウェブページに掲載します。

講演奨励賞の申込み方法

講演申込みを行う際に,講演奨励賞に申込めます。
抄録とは別に,200字以内(less than 100 words if written in English)のアピールポイントの提出が必須です。

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託児サポート制度 Childcare Support Service

未就学児・学童の託児補助を検討しています。詳しくは追ってお知らせいたします。

お問合せはこちらまで: E-mail: taikai2020@jvss.jp

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