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原子層堆積技術の模式図
| 表面科学 第38巻 第5号 (2017) p. 210 |
化合物ナノシートのエレクトロニクス
安藤淳，森貴洋，久保敏隆
Vol. 37 (2016) No. 11 p. 527
金属―絶縁体―金属構造を用いた高温波長選択熱輻射体
横山喬大，Thang Duy DAO，Kai CHEN，石井智，Ramu Pasupathi SUGAVANESHWAR，長尾忠昭
Vol. 37 (2016) No. 8 p. 380
金属誘起層交換法によるAg上Si，Ge極薄膜の形成—シリセン，ゲルマネンの創製を目指して—
黒澤 昌志, 大田 晃生, 洗平 昌晃, 財満 鎭明
Vol. 37 (2016) No. 8 p. 374
原子層堆積法とTiキャップアニールによる極薄SiO2換算膜厚を持つhigh-k（k＝40）HfO2ゲートスタックの形成
森田 行則, 右田 真司, 水林 亘, 太田 裕之
Vol. 33 (2012) No. 11 p. 610
ペロブスカイト酸化物薄膜の初期成長過程
大澤 健男, 岩谷 克也, 清水 亮太, 一杉 太郎
Vol. 33 (2012) No. 6 p. 357
硝酸酸化極薄膜とCVD-SiO2薄膜の積層型ゲート酸化膜を用いた超低消費電力型薄膜トランジスタの創製
松本 健俊, 小林 光
Vol. 32 (2011) No. 6 p. 355
有機触媒CVDによる有機・無機ハイブリッド材料の低温成長
中山弘
Vol. 31 (2010) No. 4 p. 184
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■ 巻頭言
吸い込まれ研究者
金原 粲
Vol. 38, No. 5 (2017) p. 209
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■ 特集：薄膜成長の最前線
■ 連載企画
■ 談話室
■ 先端追跡
■ 編集後記
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今月は薄膜成長に関する特集号です。2010年4月号の「触媒CVD法による薄膜・プロセス技術」以来，薄膜をキーワードとした特集は7年ぶりになります。私は学生時代に分子線エピタキシー法（MBE），現在はパルスレーザー堆積法（PLD）を用いて研究を行っていますが，その他の薄膜作製技術にもそれぞれの特徴と強みがあり日頃から興味を持っています。今回，6名の先生方に，最先端の薄膜研究について解説頂き大変勉強になりました。ご執筆頂いた先生方に感謝申し上げます。 （白木 将）
薄膜成長に関する技術は，工業製品を作製する際になくてはならないものとして，日々進化しています。現在は，一度に大量の基板に，単一原子層レベルに膜厚制御されたコーティングを施すまでに至り，薄膜作製技術に対する探求の迫力を感じております。今回の特集では，基本的な手法から，最新技術・量産技術に至るまで，非常に幅広い話題を提供いただきました。さらに日進月歩する分野として，読者の皆様に興味を持っていただければ幸いです。 （内藤泰久）
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