[前号 (Vol. 19, No. 10)] [次号 (Vol. 19, No. 12)] [会誌 総目次]
「構造」，「状態」から「物性」，「特性」へ (image PDF 71K) 長谷川修司 Vol. 19, No. 11 (1998) p. 697
(解説) 走査プローブ法によるリソグラフィーの方向性 —ナノ構造の構築からその物性や機能の計測へ— 青野正和，Chun-Sheng JIANG，中山知信，奥田太一，Shan QIAO，櫻井 亮，Carsten THIRSTRUP，Zang-Hua WU Vol. 19, No. 11 (1998) p. 698
(研究紹介) STMリソグラフィーによるシリコンダングリングボンド細線の形成とその装飾 櫻井 亮，Carsten THIRSTRUP，青野正和 Vol. 19, No. 11 (1998) p. 708
(研究紹介) シリコン表面におけるGa細線の形成とその特性 橋詰富博，平家誠嗣，一杉太郎，渡邊 聡，市村雅彦，小野木敏之 Vol. 19, No. 11 (1998) p. 716
(研究紹介) 走査プローブ顕微鏡を用いた10ナノメータレベルリソグラフィー 石橋雅義，平家誠嗣，梶山博司，和田恭雄，橋詰富博 Vol. 19, No. 11 (1998) p. 722
(研究紹介) STMおよびAFMを用いたナノメーターから原子スケールの構造作製 根城 均，藤田大介，Hanyu SHENG，内橋 隆，Urs RAMSPERGER，Stephane ODASSO，Duncan ROGERS， 岡本 洋，Zhen-Chao DONG，矢ヶ部太郎，大木泰造，雨宮克樹，惣津 寧 Vol. 19, No. 11 (1998) p. 727
(研究紹介) STMリソグラフィーによるナノスケールGaAs選択成長 嘉数 誠，小林直樹 Vol. 19, No. 11 (1998) p. 734
(研究紹介) AFM微細酸化法による原子オーダー平坦Ti薄膜の酸化と単電子トランジスタ 松本和彦 Vol. 19, No. 11 (1998) p. 742
GaAsの分子線成長における三次元成長の開始過程の走査電子顕微鏡その場観察 棚橋克人，河村裕一，井上直久，本間芳和 Vol. 19, No. 11 (1998) p. 747
ヘリウム原子線散乱：銅表面での原子状水素の効果 三宅竜也，Hrvoje PETEK Vol. 19, No. 11 (1998) p. 752
電子スピン計測のための電子衝撃加熱法 居島 薫，中村浩次，高桑真歩，鳥養映子，早川和延 Vol. 19, No. 11 (1998) p. 758
アジア工科大学（AIT）における生活 (image PDF 175K) 新居和嘉 Vol. 19, No. 11 (1998) p. 760
[R-188] AFMによるリアルタイム粘弾性観察 中島秀郎 Vol. 19, No. 11 (1998) p. 762
[R-189] カーボンナノチューブの電界効果トランジスタ 橋詰富博 Vol. 19, No. 11 (1998) p. 762
[R-190] 低エネルギースパッタリングによる超浅接合評価 林 俊一 Vol. 19, No. 11 (1998) p. 763
[R-191] ピコ秒時間分割X線回折 中村一隆 Vol. 19, No. 11 (1998) p. 763
