会誌「表面科学」

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 第19巻 第3号  1998年3月


■ 巻頭言

“表面”と“結晶成長” (image PDF 63K)
西本 頒
Vol. 19, No. 3 (1998) p. 137


■ 特集:表面の電子状態理論

(解説)
表面のための電子状態理論

塚田 捷
Vol. 19, No. 3 (1998) p. 138



(解説)
半導体表面の成長機構と第一原理計算

押山 淳
Vol. 19, No. 3 (1998) p. 141



(解説)
光刺激脱離過程に対する理論的アプローチ

相澤秀昭,常行真司
Vol. 19, No. 3 (1998) p. 147



(解説)
化合物半導体結晶成長過程とエレクトロンカウンティングモデル

白石賢二
Vol. 19, No. 3 (1998) p. 154



(解説)
原子マニュピレーションと原子コンタクト

小林伸彦,塚田 捷
Vol. 19, No. 3 (1998) p. 161



(解説)
アルカリ原子吸着金属表面の超構造
—第一原理からのアプローチ—


小口多美夫,大崎一朗
Vol. 19, No. 3 (1998) p. 167



(解説)
Si表面の酸化素過程の理論

宇田 毅,加藤弘一
Vol. 19, No. 3 (1998) p. 173


■ 論文

XPSによる多結晶Rh表面におけるNOの解離吸着挙動の研究

斉藤 健,江坂文孝,古谷圭一,島田弘道,今村元泰,松林信行,佐藤利夫,西嶋昭生,菊池 正
Vol. 19, No. 3 (1998) p. 179



グラファイト(0001)面への酸素吸着量の流量法による研究

吉田 巖,杉田利男
Vol. 19, No. 3 (1998) p. 186


■ 解説

シリコン表面構造と表面電気伝導 (2)

長谷川修司,〓 暁,中島雄二,姜 春生,長尾忠昭 (〓は人偏に冬)
Vol. 19, No. 3 (1998) p. 193



薄膜成長の素過程
—量子化学計算からのアプローチ—


平岡佳子
Vol. 19, No. 3 (1998) p. 201


■ 実験ノウハウ

STMで用いる直接通電加熱

佐藤智重
Vol. 19, No. 3 (1998) p. 208


■ 談話室

日独科学協力事業「表面動的過程の物理に関するセミナー」 (image PDF 234K)
笠井秀明
Vol. 19, No. 3 (1998) p. 210


■ 先端追跡

[R-171] 高分子表面のレーザーアブレーション
木村恒久
Vol. 19, No. 3 (1998) p. 213

[R-172] 触媒表面の活性サイトはどこか?—ステップ表面上のCO酸化反応—
上塚 洋,国森公夫
Vol. 19, No. 3 (1998) p. 213

[R-173] 表面の阻止能
城戸義明
Vol. 19, No. 3 (1998) p. 214


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