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表面分析装置と超高真空技術 (image PDF 68K) 大岩 烈 Vol. 17, No. 8 (1996) p. 435
(論文) 低エネルギー (5∼200 eV) SiF3+，SiF+イオンのCu(100)表面における散乱 山本博之，馬場祐治，佐々木貞吉 Vol. 17, No. 8 (1996) p. 436
(論文) ITO薄膜のX線光電子および逆光電子スペクトル 折田政寛，坂井裕之，竹内 恵，山口洋一，藤本俊幸，福本夏生，小島勇夫 Vol. 17, No. 8 (1996) p. 440
(論文) エネルギーフィルター型RHEEDから得られる新情報 堀尾吉巳 Vol. 17, No. 8 (1996) p. 447
(論文) The Electronic Structures of the Clean and H Adsorbed (111) Surfaces for MC (M = Ti, Zr and Nb); DV-Xα MO Calculations Shigeru ISHIKAWA, Rika SEKINE, Masahiro YAMAZAKI, Shizuo TOKUMITSU, Eizo MIYAZAKI and Kazuyuki EDAMOTO Vol. 17, No. 8 (1996) p. 454
(論文) 高速XANES計算のための新しい理論的方法 岩田周行，柳沢理会子，谷 克彦，藤川高志 Vol. 17, No. 8 (1996) p. 458
(論文) Mo(110)表面におけるCe薄膜の構造と成長に関する研究 田中泰明，亀井雅之，後藤芳彦 Vol. 17, No. 8 (1996) p. 463
(論文) CuO-SnO2系硫化水素センサにおけるp-n接合の形成と役割 玉置 純，三浦則雄，山添 曻 Vol. 17, No. 8 (1996) p. 469
(論文) 溶液Si界面のその場振動分光 杉田義博，渡辺 悟 Vol. 17, No. 8 (1996) p. 475
(論文) XPSにおいて発生分布の非対称に与える弾性散乱効果の検討 佐藤仁美，田中彰博，一村信吾，城 昌利，田沼繁夫，吉原一紘 Vol. 17, No. 8 (1996) p. 480
(論文) CAICISSによる6H-SiC(0001)面の最表面原子層の決定 西原隆治，石山 修，篠原 真，大谷文彦，西野茂弘，更家淳司 Vol. 17, No. 8 (1996) p. 484
(論文) 高温塩素処理シリカ，チタニアおよびHZSM-5の表面特性 菖蒲明己，西川欣克，有田康一，鎌田和晃，伊藤美里，八木橋昭和 Vol. 17, No. 8 (1996) p. 489
第12回表面科学研究会 <クリスマス研究会> の報告ダイヤモンド表面の負性電子親和力(NEA)—次世代表示デバイスの可能性— (image PDF 73K) 杉田利男 Vol. 17, No. 8 (1996) p. 495
