開催日時
開催場所
本学術講演会( 九州表面・真空研究会 )は、九州・沖縄・山口の大学や企業で活躍する薄膜・表面関連分野の研究者が、互いの研究成果を交換し合い、薄膜・表面における種々の新奇な現象とその応用について幅広く議論する場として、続いてきました。このような学術講演会(研究会)は、これからの材料やデバイスの開発および関連する基礎技術の発展に極めて重要であると考えられます。また、九州・沖縄・山口地方の薄膜・表面関連分野の研究活性化のみならず、大学院生及び若手研究者に対する教育事業の一環としても極めて有意義な講演会となると考えられます。
そこで、10周年を迎えた今年度は、記念の特別講演会と、薄膜・表面に関連した分野、半導体表面、金属表面、磁性薄膜、有機分子薄膜、結晶成長、超微細加工、超格子デバイス、ナノ微粒子、プラズマ誘起表面反応、放射光分析、炭素系新材料、ナノ応用デバイス、不均一触媒、摩擦応用、真空技術・ソフトマテリアルなどを対象とする一般講演の構成で、2日間の学術講演会(九州表面・真空研究会) を開催いたします。第1日目には懇親会も計画しておりますので、あわせてご出席のご検討をお願いいたします。
皆さまのご参加をお待ちしております。
○主催：公益社団法人 日本表面真空学会九州支部
○開催日時：
2026年6月20日（土） 14：00－17：15 ：特別講演会（基調講演、シンポジウム講演）
［終了後，18時～ 懇親会（ANA Holiday Inn 鳥栖（佐賀県鳥栖市酒井西町789-1））］
2026年6月21日（日） 9：20－17：15：一般講演
○場所：サンメッセ鳥栖 4・5階ホール（佐賀県鳥栖市本鳥栖町1819）
https://www.city.tosu.lg.jp/soshiki/11/3300.html
○プログラム：PDF
○基調講演: 60分（質疑込み）
遠藤哲郎先生（東北大学）
「スピントロニクス省電力AI半導体が拓く私たちのAI時代の生活」
○シンポジウム講演: 20分（質疑込み）
初井宇記先生（理化学研究所）、白澤徹郎先生（産業技術総合研究所）、白木将先生（日本工業大学）、
中村拓人先生（大阪大学）、吉田靖雄先生（金沢大学）
○一般講演：15分ｘ20件程度
講演時間は15分(発表12分、質疑3分)の予定です。
プロジェクタでの発表。
○事前参加登録はこちら → https://forms.gle/QZHUpo9x6BBbBnG48
○懇親会申し込み、講演申込・予稿集原稿提出締切：2026年6月1日（月）
→ 懇親会申込および講演申込は終了しました
予稿集原稿様式 docxファイル
○問合せ先
高橋和敏（佐賀大学シンクロトロン光応用研究センター）
E-mail：ktaka@cc.saga-u.ac.jp
TEL：0942-82-8052
********************学生講演奨励賞：規定(pdf) **********************************
日本表面真空学会九州支部学術講演会 学生講演奨励賞規程
平成 31 年 4 月 13 日
（目的）
第１条 日本表面真空学会九州支部学術講演会運営委員会は、学生の発表奨励のため学生講演奨励賞を設け、本規程によって授賞する。
第２条 本賞は、日本表面真空学会九州支部学術講演会において優秀な研究発表を行った学生に対して学生講演奨励賞を授与し、その功績を称え研究意欲を高めることを目的とする。
（表彰対象）
第３条 表彰対象者は、以下の項目を満たすものとする。
１）講演論文の筆頭者であること。
２）実際に登壇した者であること。
３）講演時に、学生の身分を有すること。学部生、院前期生、院後期生、高専本科生、専攻科生が対象であるが、社会人学生は原則として対象外とする。
４）講演申し込み時に、本賞に応募（ただし各回1人1件に限る）した者。
５）過去に本賞を受賞していないこと。
６）講演時に、本学会の正会員または学生会員であること。非会員であっても、本年度中に入会申し込みを行うものは可とする。
（選定）
第４条 原則として各大学・研究機関より数名ずつ選ばれた学生講演奨励賞選定委員会により、対象者から受賞者を選定する。受賞者は対象者の30%程度とする。
（表彰）
第５条 受賞者には賞状及び賞品を授与する。
付則
この規程は令和元年 6 月 1 日から施行し、令和元年 6 月 1 日から適用する。
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〇2026年度日本表面真空学会九州支部学術講演会（九州表面・真空研究会2026）での学生講演奨励賞を下記のように決定しました。(2026.7.1)
氏名：藤元錬
対象発表：角度分解光電子分光法によるGe(001)上のBi(111)超薄膜の 量子井戸状態(QWS)の研究
〇藤元錬、小川大翔、今村真幸、山本勇、東純平、水津理恵、高橋和敏
佐賀大学シンクロトロン光応用研究センター
氏名：神代健人
対象発表：凍結乾燥法によるカゼイン多孔質体の作製と吸着剤応用検討
〇神代健人A、北島美涼B、津留﨑幹太B、大竹亜紗美C、坂口幸一B
A佐賀大学大学院理工学研究科、B佐賀大学理工学部、C佐賀大学総合分析実験センター
氏名：中村陽人
対象発表：In situ SEIRAS測定を用いたGa及びZn系光触媒における助触媒への励起キャリア移動観測
〇中村陽人、芦村秀、吉田真明
山口大学大学院創成科学研究科
氏名：張子雍
対象発表：MoS₂基板上におけるホウ素ナノリボンの形成と電子状態評価
〇張子雍A、白石凜A、山本勇B、高橋和敏B、中川剛志A
A九州大学大学院総合理工学府、B佐賀大学シンクロトロン光応用研究センター
氏名：高橋卓也
対象発表：3Dバッファ層を用いたサファイア基板上への(ZnO)0.5(InN)0.5膜エピタキシャル成長: N2スパッタの効果
〇高橋卓也，畑昌太朗，熊本聖，山下尚人，鎌滝晋礼，奥村賢直，古閑一憲，白谷正治，木山治樹，板垣奈穂
九州大学大学院システム情報科学府
氏名：山中翔大
対象発表：原子層堆積法による金属酸化物薄膜の成膜プロセスメカニズム と物性発現メカニズムの解明検討
◯山中翔大A*、萩原隆仁A,B、鎌滝晋礼A、白谷正治A、渡部浩司A
A九州大学大学院 システム情報科学研究院、 Bソニーセミコンダクタマニュファクチャリング株式会社