2023年度日本表面真空学会 九州支部学術講演会(九州表面・真空研究会2023)

開催日時

2023年06月11日(日)

開催場所

アルカス佐世保 中会議室

【2023.6.19 学生講演奨励賞受賞者リストを本ページ下部に追加しました。】


 

テーマ:新奇な薄膜・表面現象とその応用の最前線

 

九州・沖縄・山口の大学や企業で活躍する薄膜・表面関連分野の研究者が、互いの研究成果を交換し合い、薄膜・表面における種々の新奇な現象とその応用について幅広く議論する場を持つことは、これからの材料やデバイスの開発および関連する基礎技術の発展に極めて重要です。また、これは九州・沖縄・山口地方の薄膜・表面関連分野の研究活性化のみならず、大学院生及び若手研究者に対する教育事業の一環としても極めて有意義です。そこで、薄膜・表面に関連した分野、半導体表面、金属表面、磁性薄膜、有機分子薄膜、結晶成長、超微細加工、超格子デバイス、ナノ微粒子、プラズマ応用薄膜成長、放射光分析、炭素系新材料、ナノ応用デバイス、不均一触媒、摩擦応用、真空技術・ソフトマテリアルなどを対象に、下記の要領で研究会を開催いたします。

皆さまのご参加をお待ちしております。

 

・開催日時:2023年6月11日(日)9:30~16:30 (予定)
・開催場所:アルカス佐世保 中会議室(〒857-0863 長崎県佐世保市三浦町2−3)

 

・プログラム:PDF

 

・招待講演: 60分(質疑込み)

「Ge 上の絶縁物・金属の界面制御」(講演者 中島 寛 佐世保高専校長)

 

 

・一般講演:

講演時間は15分(発表12分、質疑3分)です。
プロジェクタへの接続は、VGA端子とHDMI端子を使用できます。

 

・講演申込締切: 5月22日(月)

 

・予稿集原稿提出締切:5月26日(金)

 

・講演申込方法

締切期日までに以下の事項を明記してメール送付先(h-kawasa@sasebo.ac.jp(佐世保高専))にお送りください。

 

—以下、参加(懇親会含む)、講演申込フォーム——-

参加者氏名:

懇親会:参加する 参加しない

講演申込の有無:講演申込する(下記ご記入ください) 参加登録のみ

・題目

・著者名(登壇者氏名の前に○印)

例 ) ○九州花子A、表面太郎B、真空二郎C、薄膜三郎A

・所属・勤務先略称(連名者の所属・勤務先が異なる場合は、著者名、所属・勤務先ともに半角英字A,B,Cを使用して区別する。)

例)A表面大学大学院工学研究科、B真空工業高等専門学校、C薄膜製作所

・研究キーワード(3個程度)

・学生講演奨励賞に応募する場合は、研究キーワードの後に「学生講演奨励賞に応募します」と必ず記入してください。

——————————————————-

 

※学生講演奨励賞: 規程(pdf)

 

・参加費:無料
・交流会:17時より(18:45終了予定) 佐世保駅周辺にて会費5000円程度(ただし学生は2000円程度)
・主 催:日本表面真空学会九州支部
・共 催:佐世保高専
・運 営:川崎仁晴、柳生義人、猪原武士、日比野祐介 (佐世保高専)

 

 

・予稿提出先:h-kawasa@sasebo.ac.jp

予稿書式はこちらからダウンロードして下さい。

 

・問合せ先

川崎仁晴(佐世保高専)
E-mail:h-kawasa@sasebo.ac.jp
TEL:0956-34-8515

 

・交通案内:

https://www.arkas.or.jp/?article=access


〇2023年度日本表面真空学会九州支部学術講演会(九州表面・真空研究会2023)での学生講演奨励賞を下記のように決定しました。(2023.6.19掲載)

 

氏名 小山 諒祐
対象発表 3. 角度分解光電子分光によるGe(001)微傾斜面上Bi(111)超薄膜の研究
〇小山 諒祐A、池田 晴人A、今村 真幸B、山本 勇B、東 純平B、高橋 和敏B
A佐賀大学大学院理工学研究科、B佐賀大学シンクロトロン光応用研究センター

 
氏名 神馬 知也
対象発表 4. CaO薄膜の膜厚と温度による二酸化炭素吸着
〇神馬 知也、室井 悠貴 中川 剛志
九州大学大学院総合理工学府

 
氏名 福田 旺土
対象発表 8. 光電子制御タウンゼント放電によるグラフェンの活性化
〇福田 旺土A、鷹林 将A、山口 尚登B、小川 修一C、高桑 雄二D、津田 泰孝E、吉越 章隆E
A 有明工業高等専門学校、B ロスアラモス国立研究所、C 日本大学 生産工学部、D 東北大学 マイクロシステム融合研究開発センター、E 日本原子力研究開発機構

 
氏名 桒田 篤哉
対象発表 12. He添加アセチレンプラズマ中でのアモルファス炭素膜の堆積過程の検討
〇桒田 篤哉A、大石 侑叶A、篠原 正典B、田中 諭志C、松本 貴士C
A福岡大学大学院工学研究科、B福岡大学工学部、C東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ(株)

 
氏名 小野 晋次郎
対象発表 19. ナノ粒子を用いた膜界面の形状ゆらぎによる膜応力低減
〇小野 晋次郎A、恵利 眞人A、奥村 賢直B、鎌滝 晋礼B、山下 尚人B、木山 治樹B、板垣 奈穂B、古閑 一憲B、白谷 正治B
A九州大学大学院システム情報科学府、B九州大学大学院システム情報科学研究院

 

 

以上5件