“先端追跡”   表面科学に関する新鮮で興味深い話題を紹介する記事です。

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Vol. 32 (2011)
No. 4 (p. 229)  [R-462] ナノ流路バイオセンサ
[R-461] 走査型プローブ顕微鏡を用いたグラフェンの研究
No. 3 (p. 166)  [R-460] これからの半導体産業と表面科学
[R-459] 電極反応と電気二重層の構造
No. 2 (p. 112)  [R-458] 酸化グラフェンの応用
[R-457] 大面積成長を可能にする固体炭素源グラフェン成長
No. 1 (p. 54)  [R-456] 金属表面の音響表面プラズモン
[R-455] アルカリ金属イオンの金属触媒への助触媒効果

Vol. 31 (2010)
No. 12 (p. 683)  [R-454] 無限層構造を持つ鉄酸化物
[R-453] 固体表面と細胞との界面制御
No. 11 (p. 616)  [R-452] 感染症を防止する抗菌・殺菌材料
[R-451] BET法による表面積評価
No. 10 (p. 554)  [R-450] 熱化学気相成長法によるドープされたナノカーボンの合成
[R-449] 細胞シート
No. 9 (p. 506)  [R-448] シリコン結晶・薄膜と水素プラズマの相互作用
[R-447] 走査トンネル顕微鏡を用いた表面磁性研究
No. 8 (p. 411)  [R-446] 大気圧走査電子顕微鏡(ASEM)による溶液中の生物試料の観察
[R-445] 文化財と表面科学
No. 7 (p. 364)  [R-444] クラスター・錯体の表面へのソフトランディング
[R-443] 有機単結晶・薄膜の電荷移動メカニズム
No. 6 (p. 313)  [R-442] 石油資本によるバイオ燃料研究
[R-441] グラフェンのバンドギャップエンジニアリング
No. 5 (p. 265)  [R-440] ZnO基板とパルスレーザー堆積(PLD)法を用いた,窒化物半導体の室温層状結晶成長
[R-439] 逆Faraday効果と超高速磁化制御
No. 4 (p. 213)  [R-438] ナノスケールの散逸構造
[R-437] 非局所相関相互作用でCO adsorption puzzleは解決するか?
No. 3 (p. 169)  [R-436] 分子ヘテロ接合における電荷分離ダイナミクスの第一原理計算
[R-435] 透明酸化物半導体薄膜トランジスタの研究
No. 2 (p. 113)  [R-434] X線による薄膜解析法の現状
[R-433] 燃料電池内における液体水可視化
No. 1 (p. 52)  [R-432] 化学量論を満たしたTiO2(001)表面の可視光応答光触媒反応の可能性
[R-431] 分子エレクトロニクスの最近の展開:長距離電子伝達能と単分子膜のFET

Vol. 30 (2009)
No. 12 (p. 703)  [R-430] 光吸収・発光スペクトルの第一原理計算
[R-429] 「イオン液体」研究の前線
No. 11 (p. 642)  [R-428] 回折限界を越えたイメージング手法
[R-427] 微細加工技術のイオンチャネルチップへの展開
No. 10 (p. 587)  [R-426] 単層(モノレイヤー)シリコンは存在するか?
[R-425] グラフェンのナノ加工
No. 9 (p. 538)  [R-424] 超高速時間分解電子線回折
[R-423] 原子間力顕微鏡による原子の識別と操作
No. 8 (p. 460)  [R-422] 蛍光色素が太陽電池を救う?
[R-421] 顕微メスバウア分光
No. 7 (p. 410)  [R-420] 放射光を用いた新しい光電子分光技術
[R-419] やっぱりPEG
No. 6 (p. 357)  [R-418] 酸化プロセスによるグラフェンナノリボンの作製
[R-417] グラフェンエピタキシャル成長
No. 5 (p. 299)  [R-416] 半導体レーザー用の表面プラズモンコリメーター
[R-415] プラズモニクス研究の将来
No. 4 (p. 248)  [R-414] 半導体表面へのMoth-eye構造形成
[R-413] 表面ナノ構造を活用した一分子DNAシーケンサ
No. 3 (p. 180)  [R-412] 金クラスター触媒
[R-411] 固体表面における氷の成長
No. 2 (p. 119)  [R-410] メンブレノーム(Membranome)
[R-409] 単層カーボンナノチューブ(SWCNT)成長における新触媒種の発見
No. 1 (p. 52)  [R-408] 深化するポリマーのデプスプロファイリング
[R-407] 異種分子ヘテロジャンクションの構築

Vol. 29 (2008)
No. 12 (p. 782)  [R-406] ずれ方向に強く接着し,垂直方向に容易に引き剥がせるカーボンナノチューブ配向膜
[R-405] 走査プローブ顕微鏡(SPM)の高速スキャン
No. 11 (p. 716)  [R-404] MEISにおける表面近傍の解析精度の向上
[R-403] 反転対称性の破れに起因した電子状態のスピン分裂
No. 10 (p. 642)  [R-402] 二硫化モリブデン超微粒子電子状態の粒子径依存性
[R-401] レーザー内殻光電子分光
No. 9 (p. 567)  [R-400] 表面におけるDzyaloshinskii-Moriya相互作用
[R-399] 走査プローブ顕微鏡による有機材料の機能性評価
No. 8 (p. 506)  [R-398] ダイヤモンド量子コンピュータ
[R-397] 水素終端ダイヤモンド表面のp型伝導機構
No. 7 (p. 446)  [R-396] 金属表面に対するhybrid汎関数選択
[R-395] 量子ドットを用いた量子暗号通信用光源
No. 6 (p. 387)  [R-394] 液晶バックライト用白色LEDの開発
[R-393] 中性子線を用いた燃料電池セル内の液体水分布可視化
No. 5 (p. 325)  [R-392] 活発な新規透明導電膜研究
[R-391] Casimir力
No. 4 (p. 269)  [R-390] ToF-SIMSとD-SIMSとの界面活性
[R-389] 表面化学反応の現場を目撃する
No. 3 (p. 206)  [R-388] 半導体表面での有機分子の化学吸着
[R-387] ナノポアを用いたDNAシークエンシング
No. 2 (p. 135)  [R-386] アイスナノチューブからナノバルブへ
[R-385] 生体適合性カーボンナノチューブ
No. 1 (p. 55)  [R-384] 半導体センサによるイオン分布のイメージング
[R-383] 研究お役立ちデータベース

Vol. 28 (2007)
No. 12 (p. 728)  [R-382] 電子線・イオンビームを用いたカーボンナノマテリアルの新奇プロセス
[R-381] 表面磁性計測法の現状
No. 11 (p. 668)  [R-380] カーボンナノチューブ電界放射型電子源の電子顕微鏡への利用
[R-379] 不均一触媒における今でも不思議な金属微粒子
No. 10 (p. 610)  [R-378] ナノ微粒子の超格子結晶
[R-377] 膜タンパク質誘起による生体膜の形状変形
No. 9 (p. 539)  [R-376] カーボンナノチューブ成長における触媒作用
[R-375] 希少元素を使わずに機能性材料を創出する
No. 8 (p. 475)  [R-374] 放射光を用いた光電子分光によるゲートスタックの評価
[R-373] 水素終端Si表面での量子ホール効果
No. 7 (p. 404)  [R-372] ナノスケール3次元形状観察の最前線
[R-371] グラフェンのバンドチューニングとデバイス応用
No. 6 (p. 337)  [R-370] 酸化亜鉛ナノワイヤーを用いたナノ発電機
[R-369] プラズモニクスで異分野融合研究
No. 5 (p. 287)  [R-368] 分子集積のプログラミング
[R-367] 有機シラン単分子膜の質
No. 4 (p. 227)  [R-366] シリカ表面への金ナノ粒子の担持
[R-365] 渦巻き成長に関する最近の研究
No. 3 (p. 174)  [R-364] ナノインデンテーション法による局所変形挙動解析の新展開
[R-363] 表面構造を認識するペプチド
No. 2 (p. 118)  [R-362] 2次元ナノパターンの表面形成
[R-361] 光電子回折法の最近の動向
No. 1 (p. 46)  [R-360] ダイヤモンドライクカーボンの形成過程や原子構造の理論計算
[R-359] 磁気共鳴力顕微鏡による新しいナノ解析への期待

Vol. 27 (2006)
No. 12 (p. 734)  [R-358] 電子スピン共鳴による表面研究
[R-357] 金表面上のアルカンチオレート自己組織化膜の構造—10年来の問題に決着の兆し—
No. 11 (p. 675)  [R-356] 米国国家ナノテクノロジー基盤ネットワーク(NNIN)とコーネルナノスケール科学技術施設(CNF)
[R-355] 表面におけるsupramolecule
No. 10 (p. 617)  [R-354] カーボンナノチューブの結晶基板上配向成長
[R-353] カーボンナノチューブ電子源を搭載した小型走査型電子顕微鏡
No. 9 (p. 549)  [R-352] TiO2(110)表面構造解析
[R-351] ヤヌスパーティクル∼二つの顔を持つ粒子の作り方∼
No. 8 (p. 485)  [R-350] 分子スケールエレクトロニクス:Metal filament effectの克服に向けて
[R-349] 半導体ナノワイヤトランジスタ
No. 7 (p. 426)  [R-348] 有機半導体―金属電極界面の界面準位と電子準位の接続問題
[R-347] クラスターイオンが拓く三次元分析
No. 6 (p. 362)  [R-346] 生体適合表面とカーボンナノチューブ
[R-345] FETバイオセンサ
No. 5 (p. 304)  [R-344] DNAのナノ折り紙
[R-343] 京速計算機プロジェクト
No. 4 (p. 249)  [R-342] STMが“エッジ”を捉える
[R-341] 固体表面における生体分子の微細パターニング
No. 3 (p. 188)  [R-340] 可視光領域のアンテナ効果
[R-339] サブナノスケールの強磁性体配列構造によるスピン構造の制御
No. 2 (p. 128)  [R-338] DNAを用いた自己組織的ナノ構造形成
[R-337] 自己組織化ナノ構造とマルチフェロイック新機能開発の現状
No. 1 (p. 58)  [R-336] 稠密ポリマーブラシの表面形成
[R-335] Auカチオンに触媒作用はあるのか?

Vol. 26 (2005)
No. 12 (p. 766)  [R-334] 極限的環境における走査型トンネル顕微鏡法の発展
[R-333] イオン液体中における電極表面科学
No. 11 (p. 704)  [R-332] ゲートスタックの誘電率と界面の評価
[R-331] フリーの第一原理計算ソフト
No. 10 (p. 636)  [R-330] 反射高速陽電子回折(RHEPD)による半導体表面解析
[R-329] 放射光光電子分光の発展
No. 6 (p. 367)  [R-328] 走査プローブ顕微鏡と核融合
[R-327] 金属表面上のV6O12クラスターとCaF2クラスター
No. 5 (p. 292)  [R-326] 金クラスターの触媒活性での電荷状態
[R-325] 異なる表面分析手法間に残された課題—Ag/Si(111)表面をめぐる最近の議論—
No. 4 (p. 231)  [R-324] シリコンカーバイド表面上のカーボンナノチューブ成長
[R-323] カーボンナノファイバー(CNF)の基板上への室温合成
No. 3 (p. 171)  [R-322] SiO2と水の相互作用
[R-321] ナノメートルスケールの金属めっき
No. 2 (p. 115)  [R-320] 表面分析における固体中での電子輸送
[R-319] 表面における核磁気共鳴実験の現状
No. 1 (p. 56)  [R-318] 高エネルギーX線を用いた光電子顕微鏡
[R-317] High-kゲートスタックにおける界面の評価

Vol. 25 (2004)
No. 12 (p. 789)  [R-316] 金属表面上の二次元氷の構造
[R-315] 孤立単層ナノチューブからの発光
No. 11 (p. 720)  [R-314] 強磁性薄膜の表面マグノン
[R-313] ARPESスペクトルから探る電子と素励起の相互作用
No. 10 (p. 662)  [R-312] 有機―無機ハイブリッドゼオライト
[R-311] ナノ粒子超格子薄膜の電子物性
No. 9 (p. 599)  [R-310] 金属―酸化物表面の相互作用の強さを決定するもの
[R-309] カーボンナノチューブの伝導が示す朝永−ラッティンジャー液体的挙動
No. 6 (p. 370)  [R-308] 迷走する分子スケールエレクトロニクス:突破口はあるか?
[R-307] 硫化銅薄膜の固気および固液界面における形成とその利用
No. 5 (p. 305)  [R-306] 有機電界効果トランジスタのambipolar特性
[R-305] Nanotransfer Printing法による有機分子層表面への電極形成
No. 4 (p. 243)  [R-304] 表面・界面近傍のひずみ測定
[R-303] 配列量子ドット形成のための転位内包シリコン基板
No. 3 (p. 182)  [R-302] 高融点金属の表面修飾による低仕事関数化
[R-301] サブミクロン領域のモレキュラーSIMS
No. 2 (p. 115)  [R-300] 電子刺激脱離における入射ビーム回折効果
[R-299] 弾道的磁気抵抗効果(BMR)
No. 1 (p. 49)  [R-298] 偏光EXAFSによる粘土鉱物表面吸着金属の構造解析
[R-297] 半導体ナノワイヤ結晶

Vol. 24 (2003)
No. 12 (p. 786)  [R-296] 電界効果デバイスのための有機分子薄膜の完全エピタキシー
[R-295] 量子伝導の理論計算
No. 11 (p. 715)  [R-294] 表面反応活性と局所的構造ひずみ
[R-293] エネルギー可変X線光電子分光法および硬X線光電子分光法
No. 10 (p. 656)  [R-292] 走査プローブ顕微鏡を用いた電気伝導計測
[R-291] マイクロフォーカスX線管の最新動向
No. 6 (p. 383)  [R-290] フラットバンド強磁性
[R-289] 高分解能空間磁場マッピング
No. 5 (p. 318)  [R-288] 表面電子分光法における電子の減衰
[R-287] ルーセント・ベル研究所の先端的報告の多くに不正の判定
No. 4 (p. 253)  [R-286] LEEM/EEMによるマルチエミッタの電子放出観察
[R-285] 人工能動輸送ポンプ
No. 3 (p. 194)  [R-284] 金属酸化物表面の触媒作用のミクロな研究
[R-283] 薄膜素子転写技術
No. 2 (p. 118)  [R-282] 単層カーボンナノチューブの多孔質担体上低温成長
[R-281] 非接触摩擦の実験的検証
No. 1 (p. 53)  [R-280] 透過電子顕微鏡による触媒のその場観察
[R-279] 位相問題と表面構造

Vol. 23 (2002)
No. 12 (p. 775)  [R-278] STMによる金属硫化物触媒活性サイト構造の実空間観察
[R-277] 原子追跡走査トンネル顕微鏡
No. 11 (p. 726)  [R-276] 表面修飾による無機多孔体材料の特性制御
[R-275] 高温・高圧反応下の固体表面と反応生成物の同時観察
No. 10 (p. 654)  [R-274] 単一分子・単分子膜のナノスケール導電性計測
[R-273] 真空中及び溶液中におけるハロゲン化銀の生成
No. 9 (p. 593)  [R-272] X線回折によるPdナノ粒子の構造解析
[R-271] 電子線超音波顕微鏡(Electron-Acoustic Microscopy: EAM)によるMOS-LSIの非破壊内部観察
No. 6 (p. 395)  [R-270] 発光X線微細構造(EXEFS)
[R-269] タングステンの仕事関数制御
No. 5 (p. 321)  [R-268] GaAs(001)(2×4)表面上のホモエピタキシャル成長初期状態
[R-267] 高分解能光電子分光
No. 4 (p. 254)  [R-266] 固体表面に凝集した水分子と氷表面の科学
No. 3 (p. 196)  [R-265] AFM探針を用いた顕微増強ラマン測定
[R-264] ダンピングモードAFM
No. 2 (p. 125)  [R-263] 走査反射電子顕微鏡による薄い絶縁膜/Si界面の観察
[R-262] CVDによるカーボンナノチューブの配向成長
No. 1 (p. 62)  [R-261] STM探針からの共鳴電子注入による絶縁体ダイヤモンド表面のSTM観察
[R-260] 極低温AFMの開発

Vol. 22 (2001)
No. 12 (p. 834)  [R-259] 2次元ナノアイランドの徘徊—ナノモーターへの応用
[R-258] 走査型電気化学顕微鏡
No. 11 (p. 763)  [R-257] 二酸化チタンを単層および二層コートしたメソポーラスシリケートの合成と触媒能
[R-256] 金属表面上の一次元量子鎖とスピン偏極電子状態
No. 10 (p. 694)  [R-255] 低加速Arイオン照射によるTiO2のTi 2p XPSスペクトルの変化
[R-254] 夢の磁性体CrAsの薄膜成長—スピントロニクス実現に向けて—
No. 6 (p. 404)  [R-253] 電界効果を用いた有機固体の新種超伝導発現と電界発光レーザー発振
[R-252] ポリキャピラリーによるX線集光
No. 5 (p. 337)  [R-249] エキシマレーザ結晶化多結晶シリコン薄膜の表面モフォロジ
[R-248] GaAs(110)面およびGaAs(001)面上の走査トンネルスペクトロスコピー
No. 4 (p. 275)  [R-247] Fe-zeolite触媒におけるFeイオン種の反応サイト
[R-246] 表面ナノ周期構造形成と表面界面歪
No. 3 (p. 211)  [R-245] 窒化物半導体エピタキシャル成長の転位密度低減
[R-244] 原子線によるナノリソグラフィー技術
No. 2 (p. 145)  [R-243] AFMを用いた生体単一分子の測定
[R-242] スピン偏極STMによるCr(001)磁気構造観察
No. 1 (p. 75)  [R-241] Si表面での一次元Au鎖の価電子状態
[R-240] 半導体表面微細構造形成のための超臨界乾燥法

Vol. 21 (2000)
No. 12 (p. 816)  [R-239] ブロードバンド赤外光を用いたマルチプレックス和周波発生分光
[R-238] 放射光を利用した全反射蛍光X線分光法によるシリコンウェハー表面の微量金属不純物の測定
No. 11 (p. 753)  [R-237] Fowler-Nordheimの式の新しい意味
[R-236] 光反応性表面の濡れ性を利用した液体の駆動
No. 10 (p. 680)  [R-235] 高分解能原子間力顕微鏡による表面状態の研究
[R-234] Thickogram: XPSによる簡便な膜厚測定法
No. 9 (p. 597)  [R-233] シリコン酸化膜の原子スケール評価とAtomic Layer Depositionによる誘電体薄膜形成
[R-232] 水素終端されたSi(100)表面上に自己形成される“分子ワイヤー”
No. 6 (p. 383)  [R-231] 高温超伝導と角度分解光電子分光(ARPES)
[R-230] ナノ空間を利用したガラス・過冷却状態の解析
No. 5 (p. 307)  [R-229] ダイヤモンドの気相成長理論
[R-228] STMによる触媒表面に吸着した分子の挙動の観察
No. 4 (p. 240)  [R-227] レーザー光走査による表面仕立
[R-226] DNA分子の電気伝導
No. 3 (p. 181)  [R-225] 規則性ナノポーラス及び規則性ナノレリーフセラミックス膜の作製
[R-224] 新しいスピン偏極電子線源
No. 2 (p. 119)  [R-223] 原子レベルで達成された,STMチップを用いた表面のフォトンマッピング
[R-222] EPMAを用いた化学状態別分布の評価
No. 1 (p. 51)  [R-221] 超高速時間分解X線回折によるダイナミクス研究
[R-220] 微細リソグラフィー技術によるC60分子の波と粒子の二重性