[前号 (Vol. 23, No. 8)] [次号 (Vol. 23, No. 10)] [会誌 総目次]
シリコンの酸化機構解明の手がかりを求めて 服部健雄 Vol. 23, No. 9 (2002) p. 535
(総合報告) 極薄シリコン酸化膜形成過程のリアルタイムRHEED-AES観察 高桑雄二 Vol. 23, No. 9 (2002) p. 536
(研究紹介) 超音速O2分子ビームで誘起されるSi(001)室温酸化の反応ダイナミクス 寺岡有殿，吉越章隆 Vol. 23, No. 9 (2002) p. 553 [訂正] Vol. 28, No. 7 (2007) p. 408.
(研究紹介) 反射率差振動を利用したシリコン酸化層数のその場計測 安田哲二 Vol. 23, No. 9 (2002) p. 562
(研究紹介) SiO2/Si(111)界面における価電子に対するエネルギー障壁 高橋健介，Mustafa Bin SEMAN，廣瀬和之，服部健雄 Vol. 23, No. 9 (2002) p. 568
(研究紹介) シリコンナノ構造でのパターン依存酸化現象の観察 永瀬雅夫，藤原 聡，生津英夫，高橋庸夫，栗原健二 Vol. 23, No. 9 (2002) p. 573
(研究紹介) 第一原理計算によるSi表面酸化過程の考察 加藤弘一 Vol. 23, No. 9 (2002) p. 580
SiGe固相成長による原子層レベル急峻ヘテロ界面の形成 山口伸也，杉井信之，朴 成基，中川清和，宮尾正信 Vol. 23, No. 9 (2002) p. 586
[R-271] 電子線超音波顕微鏡（Electron-Acoustic Microscopy: EAM）によるMOS-LSIの非破壊内部観察 池田正則 Vol. 23, No. 9 (2002) p. 593
[R-272] X線回折によるPdナノ粒子の構造解析 石川芳光 Vol. 23, No. 9 (2002) p. 593
