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自己組織化論争 (image PDF 68K) 福井孝志 Vol. 19, No. 9 (1998) p. 545
(解説) 半導体結晶成長における自己集合化と自己組織化 —GaAs(311)面上のInGaAsナノ構造形成— 天明二郎，玉村敏昭 Vol. 19, No. 9 (1998) p. 546
(研究紹介) 表面自己組織化の制御によるSiナノ構造形成 市川昌和 Vol. 19, No. 9 (1998) p. 551
(研究紹介) 自己組織化によるSiナノ構造のウェーハスケール制御 荻野俊郎，本間芳和，日比野浩樹，小林慶裕，住友弘二，Kuniyil PRABHAKARAN，尾身博雄 Vol. 19, No. 9 (1998) p. 557
(研究紹介) GaP/InP短周期超格子成長による自己形成量子構造 朝日 一，金 成珍，廬 柱亨，筆田麻祐子，浅見久美子，権田俊一 Vol. 19, No. 9 (1998) p. 565
(研究紹介) 原子状水素援用MBEによるInGaAs量子ドットの作製 赤羽浩一，川辺光央 Vol. 19, No. 9 (1998) p. 573
(研究紹介) 金属/シリコン初期界面の水素誘起自己組織化 片山光浩，柳 正鐸，久保 理，Alexander A. SARANIN，Andrey V. ZOTOV，尾浦憲治郎 Vol. 19, No. 9 (1998) p. 579
(研究紹介) 自己形成InAsドットで覆われたGaAs表面の電子状態 高橋琢二 Vol. 19, No. 9 (1998) p. 588
低加速スパッタエッチングによる酸化物/基板界面のXPS精密分析 林 泰夫，大崎 壽，松本 潔 Vol. 19, No. 9 (1998) p. 593
光伸縮性フォトクロミックポリマー単分子膜の可視化 関 隆広 Vol. 19, No. 9 (1998) p. 598
結晶模型を作ろうBB-dan Model 安達 洋 Vol. 19, No. 9 (1998) p. 606
電子衝撃型試料加熱法 後藤敬典 Vol. 19, No. 9 (1998) p. 612
[R-184] 平坦で大きなテラス面を持つAg(111)単結晶薄膜作製に向けて 永嶋誠一 Vol. 19, No. 9 (1998) p. 614
[R-185] 強磁性体・半導体ハイブリッド構造の作製 立岡浩一 Vol. 19, No. 9 (1998) p. 614
