会誌「表面科学」

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 第18巻 第11号  1997年11月


■ 巻頭言

エリプソメトリーに思うこと (image PDF 74K)
横田英嗣
Vol. 18, No. 11 (1997) p. 663


■ 特集:分光エリプソメトリー

(解説)
分光エリプソメータとデータ解析

関根国夫
Vol. 18, No. 11 (1997) p. 664



(解説)
単結晶材料のモデル誘電関数(MDF)理論

安達定雄
Vol. 18, No. 11 (1997) p. 669



(解説)
非晶質材料の経験的誘電関数と膜厚揺らぎモデル

山口十六夫
Vol. 18, No. 11 (1997) p. 676



(解説)
偏光解析法における膜厚測定および有効媒質近似理論

川畑州一
Vol. 18, No. 11 (1997) p. 681



(解説)
UV-IR分光エリプソメトリーによるシリコン薄膜堆積初期過程の評価

白井 肇
Vol. 18, No. 11 (1997) p. 687



(解説)
分光エリプソメトリーを用いた薄膜成長の実時間観察と制御

齋藤 忠
Vol. 18, No. 11 (1997) p. 695


■ ノート

Eley-Rideal反応の2次元トラジェクトリー計算

中村一隆,北島正弘
Vol. 18, No. 11 (1997) p. 700



2:1型粘土鉱物表面の電荷分布

長崎晋也,梅村康洋,田中 知,鈴木篤之
Vol. 18, No. 11 (1997) p. 702


■ 解説

固体NMRにおける新技術のマイクロポーラスマテリアルへの応用

林 繁信
Vol. 18, No. 11 (1997) p. 705



高分子化合物のCK殻吸収端における共鳴光電子分光

菊間 淳
Vol. 18, No. 11 (1997) p. 711


■ ポピュラーサイエンス

困ったときの電気陰性度

兵頭志明
Vol. 18, No. 11 (1997) p. 717


■ 談話室

第2回分光エリプソメトリー国際会議(ICSE-2)の報告 (image PDF 109K)
齋藤 忠
Vol. 18, No. 11 (1997) p. 723


■ 先端追跡

[R-161] MoO3/SiO2,V2O5/SiO2触媒によるメタン部分酸化反応の反応機構に関する研究
後藤昭雄,泉 康雄
Vol. 18, No. 11 (1997) p. 725

[R-162] 針状でない試料でも分析できるアトムプローブ法
安達 洋
Vol. 18, No. 11 (1997) p. 725


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