[前号 (Vol. 13, No. 10)] [次号 (Vol. 14, No. 2)] [会誌 総目次]
第一原理理論による表面構造の決定 (image PDF 61K) 吉森昭夫 Vol. 14, No. 1 (1993) p. 1
(解説) 第一原理分子動力学法とそのSi(001)清浄表面・吸着面への応用 森川忠良，井上耕一郎，寺倉清之 Vol. 14, No. 1 (1993) p. 2
(解説) 半導体表面とハロゲン原子の相互作用 大野隆央 Vol. 14, No. 1 (1993) p. 10
(解説) モンテカルロ・シミュレーションによる成長表面構造の解析 入沢寿美 Vol. 14, No. 1 (1993) p. 17
走査トンネル顕微鏡の雑音と測定限界 宮尾正大 Vol. 14, No. 1 (1993) p. 24
金属の表面プラズモン 須藤彰三 Vol. 14, No. 1 (1993) p. 33
試料のおがみや残留微小磁場がある場合のLEED I(V)曲線測定 水野清義，栃原 浩，川村隆明 Vol. 14, No. 1 (1993) p. 41
高電界下での表面過程 渡辺一之 Vol. 14, No. 1 (1993) p. 48
XAFS VII （第7回X線吸収微細構造国際会議） (image PDF 77K) 島田広道 Vol. 14, No. 1 (1993) p. 53
第12回真空国際会議 / 第8回固体表面国際会議報告 (image PDF 781K) 枝元一之 Vol. 14, No. 1 (1993) p. 54
[R-13] 水素で修飾したシリコン表面の科学と技術 尾浦憲治郎 Vol. 14, No. 1 (1993) p. 55
[R-14] STMによる金属表面化学の再出発 有賀哲也，岩澤康裕 Vol. 14, No. 1 (1993) p. 55
[R-15] 非接触表面温度計測，近ごろの事情 加藤茂樹 Vol. 14, No. 1 (1993) p. 56
[R-16] X-ray scatteringによるMOCVD成長表面のその場観察 小林直樹 Vol. 14, No. 1 (1993) p. 56
