会誌「表面科学」

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 第10巻 第10号  1989年11月
日本表面科学会創立10周年記念特集 (2)
表面科学 —この10年の歩みと将来展望—

■ 巻頭言

再び副会長に就任して (image PDF 65K)
坂田 亮
Vol. 10, No. 10 (1989) p. 617




■ 表面物理・化学

(解説)
触媒の科学と技術の最近10年の進歩

御園生誠,奥原敏夫
Vol. 10, No. 10 (1989) p. 618



(解説)
金属の表面と界面

栃原 浩
Vol. 10, No. 10 (1989) p. 625



(解説)
電極表面

延与三知夫,国松敬二
Vol. 10, No. 10 (1989) p. 631



(解説)
半導体表面研究の最近の発展

塚田 捷
Vol. 10, No. 10 (1989) p. 644



(解説)
コロイドおよび界面科学

辻井 薫
Vol. 10, No. 10 (1989) p. 651




■ 表面・界面分析

(解説)
電子回折による表面研究
—RHEEDを中心として—


市川禎宏
Vol. 10, No. 10 (1989) p. 659



(解説)
原子構造—X線による解析—

菊田惺志
Vol. 10, No. 10 (1989) p. 666



(解説)
イオンビームによる表面構造解析

青野正和,片山光浩
Vol. 10, No. 10 (1989) p. 676



(解説)
走査型トンネル顕微鏡法

細木茂行
Vol. 10, No. 10 (1989) p. 686



(解説)
XPS,UPSによる最近の表面研究

宮崎栄三
Vol. 10, No. 10 (1989) p. 693



(解説)
カソードルミネセンスによるGaAs-AlGaAsヘテロ界面の評価

中島尚男,福永敏明,J. Christen,D. Bimberg
Vol. 10, No. 10 (1989) p. 697



(解説)
オージェ電子分光法研究をふりかえって
—薄膜成長, ガス吸着, 表面組成分析への応用—


徳高平蔵
Vol. 10, No. 10 (1989) p. 703



(解説)
電子プローブ微小分析法

副島啓義
Vol. 10, No. 10 (1989) p. 710



(解説)
高分解能電子顕微鏡法

松井良夫
Vol. 10, No. 10 (1989) p. 719


■ 表面処理

(解説)
金属の表面処理

吉原一紘
Vol. 10, No. 10 (1989) p. 726



(解説)
プロセス技術 (化合物半導体)

浅川 潔
Vol. 10, No. 10 (1989) p. 732



(解説)
固液界面における潤滑油の挙動

川村益彦
Vol. 10, No. 10 (1989) p. 738



(解説)
機能性表面処理技術の展望

馬場宣良
Vol. 10, No. 10 (1989) p. 744



(解説)
イオンビームによる表面・表層・界面の改質

岩木正哉
Vol. 10, No. 10 (1989) p. 752



(解説)
固体表面への高分子の吸着

高橋 彰
Vol. 10, No. 10 (1989) p. 758




■ 薄膜

(解説)
薄膜形成の初期過程

金原 粲
Vol. 10, No. 10 (1989) p. 765



(解説)
金属人工格子における界面

新庄輝也
Vol. 10, No. 10 (1989) p. 776



(解説)
化合物半導体結晶のLPE,VPE成長

中嶋一雄
Vol. 10, No. 10 (1989) p. 782



(解説)
MBE法,MOCVD法によるIII-V族化合物半導体の結晶成長

堀越佳治
Vol. 10, No. 10 (1989) p. 790



(解説)
CVD法によるダイヤモンド薄膜

佐藤洋一郎
Vol. 10, No. 10 (1989) p. 799


■ 新材料の表面・界面

(解説)
生体機能膜

相澤益男
Vol. 10, No. 10 (1989) p. 811



(解説)
界面関連現象から見たセラミックス

河本邦仁
Vol. 10, No. 10 (1989) p. 818



(解説)
微粒子・超微粒子

岩澤康裕
Vol. 10, No. 10 (1989) p. 824



(解説)
シリコン表面再配列
—電子顕微鏡は表面過程をいかにして捕えたか—


高柳邦夫
Vol. 10, No. 10 (1989) p. 833



(解説)
III-V族化合物半導体の表面・界面

長谷川英機
Vol. 10, No. 10 (1989) p. 838



(解説)
金属/半導体界面

廣瀬和之,大泊 巌
Vol. 10, No. 10 (1989) p. 850



(解説)
超伝導体内部界面の原子構造

石田洋一,高橋 裕
Vol. 10, No. 10 (1989) p. 856



(解説)
超伝導体表面・界面の電子状態

橋 隆,松山博圭
Vol. 10, No. 10 (1989) p. 863




■ 新技術と表面・界面

(解説)
LSI技術と界面科学

平木昭夫
Vol. 10, No. 10 (1989) p. 871



(解説)
センサー

荒井弘通,水原由加子
Vol. 10, No. 10 (1989) p. 877



(解説)
真空技術

大島忠平
Vol. 10, No. 10 (1989) p. 884


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