日本表面科学会 関西支部講演大会 プログラム
| 講演番号 | 講演タイトル | 著者 |
| P1 | パルスレーザー堆積法により低温成膜した低抵抗酸化亜鉛系透明導電膜 | |
| （大産大工1，阪府大工2） ○高橋謙太郎1，安倉秀明1，上原賢二1，中村篤宏1， 東村佳則1，青木孝憲1，鈴木晶雄1，松下辰彦1，奥田昌宏2 |
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| P2 | PLD法により作製した酸化亜鉛系透明導電膜の表面形態および諸特性 | |
| （大産大工1，阪府大工2） ○安倉秀明1，高瀬康則1，青木孝憲1，鈴木晶雄1， 松下辰彦1，奥田昌宏2 |
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| P3 | 有機Cat-CVD法によるZnO系薄膜の低温成長と評価 | |
| （阪市大院工1，マテリアルデザインファクトリー2） ○正時俊輔1，広岡卓也1， 畑 強之1,2，中山弘1,2 |
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| P4 | 高分解能RBSによるHfO2/Si(001)界面に対するTi蒸着の効果の観察 | |
| （京大院工） ○藤吉旭，中嶋薫，鈴木基史，木村健二 | ||
| P5 | 動的斜め蒸着法によるバネ型誘電体層を有するキャパシタの作製 | |
| （京大院工） ○岸本一昭，鈴木基史，和田吉典，中嶋薫，木村健二 | ||
| P6 | Si(111)微斜面におけるCaF2のサブモノレイヤー成長 | |
| （阪大産研） ○宮里幸司，須藤孝一，岩崎裕 | ||
| P7 | 光析出法を用いて酸化クロムを担持した可視光応答型光触媒の調製 | |
| （阪大院工1，阪府大院工2） ○増井洋介1，大城智史1，安保正一2， 大道徹太郎1，片山巌1，山下弘巳1 |
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| P8 | 有機Cat-CVD法によるTi-O系薄膜の低温成長 | |
| （阪市大院工1、マテリアルデザインファクトリー2） ○木村晃1，中川聡朗1， 畑 強之1,2，中山 弘1,2 |
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| P9 | Ti含有メソポーラスシリカ薄膜の調製と超親水性 | |
| （阪大院工1、阪大院基礎工2） ○西尾真一郎1，今岡禎晴1，西山憲和2， 大道徹太郎1，片山巌1，山下弘巳1 |
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| P10 | TiO2-SiCによる有機汚染水の浄化 | |
| （阪大院工） ○西田義勝，山下弘巳 | ||
| P11 | 光析出法を用いたTi含有メソポーラスシリカ細孔内におけるPt超微粒子の調製 | |
| （阪大院工） ○清水俊晶，島田真，大道徹太郎，片山巌，山下弘巳 | ||
| P12 | プラズマ処理による窒化ホウ素(BN)、窒化ホウ素炭素(BCN)薄膜表面特性への影響 | |
| （阪大院工） ○岡田邦孝，木村千春，青木秀充，杉野隆 | ||
| P13 | プラズマ処理による窒化ホウ素炭素(BCN)/GaN構造の特性評価 | |
| （阪大院工） ○近松健太郎，島田佳亮，木村千春，青木秀充，杉野隆 | ||
| P14 | BCN/SiC構造の界面処理評価 | |
| （阪大院工） ○栗本裕史，柴田馨，木村千春，青木秀充，杉野隆 | ||
| P15 | 有機Cat-CVD によるSiNC、SiOC、SiONC 系薄膜の成膜と評価 | |
| （マテリアルデザインファクトリー1、阪市大院工2） ○畑強之1,2，中山弘1,2 | ||
| P16 | 超熱メタンビームを用いたDLC成膜技術 | |
| （神大院1, 神大工2） ○浅田秀俊1，松浦芳充2, 横田久美子2，田川雅人2 | ||
| P17 | High-Current-Density Electron Emissions from Nano-Carbon Films Grown on Polycrystalline CVD Diamond | |
| （阪大院工） ○Jia yu WANG, Tokuyuki TERAJI, Toshimichi ITO | ||
| P18 | グラファイト表面における励起誘起新構造相創製と原子層剥離 | |
| （阪大産研1，高エ研物構研2） ○金崎順一1，谷村克己1，那須奎一郎2 | ||
| P19 | 有機金属イオンビーム法により作製したSiCナノ結晶の表面構造 | |
| （産総研1，阪大院工2） ○松本貴士1，木内正人1，杉本敏司2，後藤誠一2 | ||
| P20 | ポーラスシリコンへの窒素プラズマ処理効果 | |
| （東京電機大工） ○渡辺侑，津畑寿行，本橋光也，本間和明 | ||
| P21 | Si(001)表面上のFeシリサイドの構造の磁性 | |
| （奈良先端大物質創成1，JST-CREST2） ○前谷 健1，服部 賢1,2，服部 梓1， 大門 寛1,2 |
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| P22 | アモルファスSi 系強磁性薄膜の分子線エピタキシーと磁気輸送特性 | |
| （阪市大院工） ○上田直史，上野晃一，福田常男，中山 弘 | ||
| P23 | SiC-on-Insulator上へのGaNエピタキシャル膜成長 | |
| （阪府大1，名工大2，エア・ウォーター3） ○中尾基1，大内一浩1，泉勝俊1， 江川孝志2，横山敬3，小林純夫3 |
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| P24 | AlN上CrドープGaN量子ドット生成へのアニーリングの効果 | |
| （阪大産研） ○松野俊輔，山内祥晃，船越政行，長谷川繁彦，朝日一 | ||
| P25 | MBE 法によるスーパードープ（Ga,Mn）N 薄膜の成長と磁気輸送特性 | |
| （阪市大院工） ○上野晃一，上田直史，福田常男，中山 弘 | ||
| P26 | InP基板上InGaAsSbN赤外量子井戸ダイオードの発光特性 | |
| （阪府大1，CREST-JST2） ○河村裕一1,2，中川智克1，井上直久1 | ||
| P27 | Si(001)-(2x1)表面キャリアーダイナミクス−励起密度依存性 | |
| （阪大産研） ○市林拓，田中慎一郎，谷村克己 | ||
| P28 | 非エッチングシリコン洗浄法によるシリコン表面の重金属除去ならびに金属除去機構 | |
| （阪大産研） ○劉Yueh-Ling，成田比呂晃，高橋昌男，岩佐仁雄，小林光 | ||
| P29 | 電子ビーム露光を使用しないナノギャップ電極の作製 | |
| （産総研ナノテク1、産総研企画本部2） ○内藤泰久1，堀川昌代1，梁天賜1， 水谷亘2 |
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| P30 | 電子ビームリソグラフィーによるフォトントンネリング素子の試作 | |
| （阪市大院工1、マテリアルデザインファクトリー2） ○小川祐輝1，三上聡1， 畑強之1,2，中山弘1,2 |
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| P31 | 表面反応研究用小型ガスクラスターイオンビーム照射装置の開発 | |
| （兵庫県立大院工1，兵庫県立大高度研2） ○寳角真吾1，竹嶋圭吾1， 持地広造1，豊田紀章2，山田公2 |
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| P32 | 原子状酸素・窒素ビームにより室温形成した極薄Si酸窒化膜の評価 | |
| （神大院1，神大工2，原研放射光3） ○宮階優1，西崎徳晃2，横田久美子2， 田川雅人2，寺岡有殿3 |
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| P33 | フッ素原子線照射によるHOPGおよびポリイミドの表面改質 | |
| （神大院1, 神大工2） ○前田健一1，梶田忠志2，横田久美子2，田川雅人2 | ||
| P34 | 高速原子・分子ビーム誘起表面反応観察用光電子分光装置の製作 | |
| （原研1，神大2，阪府大3） ○寺岡有殿1，田川雅人2，横田久美子2，梅澤憲司3， 鉢上隼介1,2，成廣英介1,3 |
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| P35 | 高分解能ARPESによるSi(111)-7x7表面電子状態の測定 | |
| （奈良先端大物質創成1，JST-CREST2） ○武田さくら1,2，西出昌弘1，東直人1， 大門寛1,2 |
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| P36 | Si(111)√3x√3-Agのバンド分散と光電子放出角度分布 | |
| （奈良先端大物質創成1，JST-CREST2，立命館大3） ○松井文彦1,2， 高橋伸明1，出野卓1，茂内晋1，橋本美絵1，武田さくら1,2，大門寛1,2,3 |
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| P37 | 遷移金属ナノ構造体のスピン偏極走査トンネル分光 | |
| （阪大基礎工1，大教大2，Max-Planck Institut fur Mikrostrukturphysik3） ○山崎篤志1，川越毅2，宮町俊生1，井口祐介1，渡邊智健1，W. Wulfhekel3， R. Hertel3，M. Wasniowska3，J. Kirschner3，菅滋正1 |
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| P38 | STMによる電極近傍のポテンシャル計測 | |
| （京大院工） ○中野貴博，黒川修，酒井明 | ||
| P39 | TiO2(110)表面点欠陥のバリアハイトイメージング | |
| （京大院工） ○高元美紗子，黒川修，酒井明 | ||
| P40 | Si(111)-(7x7)表面空格子点近傍における電荷移動 | |
| （阪大産研） ○金崎順一，谷村克己 | ||
| P41 | Si(111)7x7表面の水素の初期吸着過程のSTM観察 | |
| （阪市大院工） ○中谷純子，鈴木佳一，福田常男，中山弘 | ||
| P42 | 非接触原子間力顕微鏡を用いたSi原子とIn原子の識別 | |
| （阪大院工） ○院南誠嗣，平山正裕，杉本宜昭，阿部真之，森田清三 | ||
| P43 | 非接触原子間力顕微鏡を用いたCaF2/Si(111)表面の観察 | |
| （阪大院工） ○吉川正太，清野宜秀，西竜治，阿部真之，森田清三 | ||
| P44 | NC-AFMによるSi(111)-(7x7)表面での室温水平原子操作 | |
| （阪大院工） ○杉本宜昭，阿部真之，クスタンセオスカル，森田清三 | ||
| P45 | 非接触原子間力顕微鏡による絶縁体表面の原子マニピュレーション | |
| （阪大院工） ○江頭宏規，宮川大輔，西竜治，清野宜秀，李仁淑，森田清三 | ||
| P46 | 非接触原子間力顕微鏡を用いたアトムトラッキング法の開発 | |
| （阪大院工） ○水田和利，阿部真之，杉本宜昭，森田健一，Oscar Custance， 森田清三 |
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| P47 | KCl(001)基板上でのペンタセン薄膜のグラフォエピタキシー | |
| （徳島大工1，立命館大理工2） ○宮本純太1，墻内孝祐1，柳谷伸一郎1， 森篤史1，鈴木仁志2，墻内千尋2，井上哲夫1 |
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| P48 | STM探針を用いたポリジアセチレン分子鎖へのキャリア注入制御 | |
| （阪大院工1，JST-さきがけ2，JST-ICORP3，理研播磨研4， 物材機構ナノマテ研5） ○赤井恵1,2，斎藤章1,3,4，青野正和3,5，桑原裕司1,3,4 |
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| P49 | トンネル電流誘起発光分析を用いたフタロシアニン薄膜の発光特性評価 | |
| （阪大院工1，物材機構ナノマテ研2） ○植村隆文1，古本雅子1，中野剛志1， 赤井恵1，齋藤彰1，桑原裕司1，青野正和1,2 |
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| P50 | ヨウ素ドープしたポリ(3-オクチルチオフェン)膜における局所的導電性変化の観察 | |
| （阪大院工1，JST-さきがけ2，JST-ICORPナノ量子アレイ3，理研播磨研4， 物材機構ナノマテ研5） ○高見和宏1，赤井恵1,2，齋藤彰1,3,4，青野正和3,5，桑原裕司1,3,4 |
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| P51 | STM/STSによる色素修飾DNAの一分子分光 | |
| （阪大産研） ○久保典弘，川原敏男，野島義弘，田中裕行，川合知二 | ||
| P52 | 金単原子接点の寿命分布とそのバイアス依存性 | |
| （京大院工） ○鈴木良，黒川修，酒井明 | ||
| P53 | 吸着子によるサーマル・ステップ・バンチング：単純六方格子（0001）面の場合 | |
| （大阪電通大工） ○垣井祥成，阿久津典子 | ||